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闪存速度差3倍?华为P10被爆偷换料

2017-04-19 10:48:27 作者:洪树仁 来源:TechDaily 浏览次数:0 网友评论 0 | Share to

【TechDaily电子报2017年4月18日综合报导】华为(Huawei)最新旗舰手机P10出大事了!闪存被指偷工减料,并涉嫌弄虚作假,有误导消费者的嫌疑

华为在今年3月8日在大马发布了旗下最新旗舰手机P10与P10 Plus,两款新手机随后24日在中国上市。不过,推出不到两星期,却爆出了偷换料风波,P10被指在部份出货机型使用UFS 2.1快闪记忆卡,即内存,在其他机型却采用了较旧的eMMC 5.1。

上周末,开始有不少网友在贴吧、微博等社交网络反映,华为P10不同产品之间记忆体、闪存的读写速度测试成绩差异巨大,速度最差的只能达eMMC 5.1的标准。

网友们纷纷怀疑,华为P10系列疑似采用了emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三种不同规格记忆体,造成成绩差异很大。同时,也有网友质疑,华为P10可能使用了LPDDR3记忆体,也存在缩水的嫌疑。

此次的事件起因于中国网友透过App自行测试,发现不同支P10的记忆体读写速率,大概有三种等级,因此怀疑华为将UFS 2.1、UFS 2.0和eMMC 5.1 三者混用出货。

但也有说法指出,表面上是UFS 2.1、以及UFS 2.0 间的速度差,其实是因为华为分别用了TLC、MLC两种 NAND架构,因此P10实际上只采用了UFS 2.1、以及eMMC 5.1两种标准。

由于UFS 2.1的读写速度,大约是eMMC 5.1的三倍,UFS 2.0则是两倍,让花了同样的钱、读写速率却只有其他人一半不到的P10用户不满,纷纷在社群平台测试自己的P10,或是纷纷到华为CEO余承东的微博上抱怨。

▲P10是华为最新旗舰系列,主打与 Leica(徕卡)合作的双镜头,以及较时尚活泼的外观。

此事件有点类似当初苹果iPhone 6s混用三星与台积电代工的A9 SoC、以及iPhone 6混搭TLC、MLC NAND架构的风波。

实际上,华为并没有在P10的规格表明订自己用的是UFS 2.1,事件爆发后,官方对于P10究竟采用哪种快闪记忆卡标准也三缄其口。

问题是,在当初的上市记者会上,华为曾提到P10的自家SoC“麒麟 960”(Kirin 960)支援了UFS 2.1 标准,先给了消费者一些预期心理;eMMC 5.1与UFS 2.1 的效能差距,应该也不是一般人能够接受。


有消息指出,由于高通的Snapdragon 835首次支援UFS 2.1,不像稍早的Snapdragon 820只支援到UFS 2.0,导致UFS 2.1标准的快闪记忆卡开始大缺货,让较晚出货的一部份P10只能临时改搭eMMC。包括Mate 9、Mate 9 Pro等机型,也面临了类似的情形。

目前,华为已经从自家App Store下架了多数网友用来测试读写速率的第三方App“AndroBench”,即使从其他平台下载来用,也会跳出“相容性不符”的警讯。

华为允诺为读写速率特别慢的P10更换新机,也让部份网友认为是变相承认P10用了等级较差的快闪记忆卡。

除了储存记忆卡的换料风波,P10也另外传出会针对记忆体换料,只有具备UFS 2.1速率的机型,才会搭载 LPDDR 4,其他则都使用LPDDR 3。

在此之前,P10也传出因为供应链问题,在较晚生产的P10不再于屏幕使用防指纹涂层,而是改用原厂自制的贴膜来代替。

根据中国网友们晒出的自己华为P10手机AndroBench内存读写速度测试结果,不同用户之间的测试成绩差异明显……(点击下一页)


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